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性能指标
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配备状态
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温度范围
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100– 1300℃
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升温速率
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2-200℃/秒可调
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样品最大尺寸
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4英寸
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最大降温速率
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80℃/秒
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快速退火炉应用领域: 硅基,三代,四代半导体制程工艺(RTP,RTA,RTO,RTN)
铁电材料研究
薄膜应力调控
集成电路制造
材料物性测试前热处理,热振实验
CMOS工艺优化
掺杂激活(离子注入后退火)
欧姆接触退火(金属化退火)
氧化/氮化处理
高k介质热处理
硅片表面处理
太阳能电池制造
相变材料处理
薄膜应力调控
晶粒生长与结晶退火
新材料热稳定性研究
MEMS器件加工
纳米器件加工
高温瞬时退火实验
工艺开发与验证