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产品及服务
4寸及以下RTP快速退火炉
6寸RTP快速退火炉
8寸RTP快速退火炉
12寸RTP快速退火炉
定制RTP快速退火炉
6英寸RTP真空快速退火炉
6英寸RTP真空快速退火炉

性能指标 配备状态
温度范围 150 – 1300℃
升温速率 0.1  —  200℃/秒可调
样品最大尺寸 6英寸
最大降温速率 80℃/秒
快速退火炉应用领域：

硅基，三代，四代半导体制程工艺(RTP,RTA,RTO,RTN）
铁电材料研究
薄膜应力调控
集成电路制造
材料物性测试前热处理，热振实验
CMOS工艺优化
掺杂激活（离子注入后退火）
欧姆接触退火（金属化退火）
氧化/氮化处理
高k介质热处理
硅片表面处理
太阳能电池制造
相变材料处理
薄膜应力调控
晶粒生长与结晶退火
新材料热稳定性研究
MEMS器件加工
纳米器件加工
高温瞬时退火实验
工艺开发与验证